onsemi FDD3672
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFR2607ZPBF
INFINEON IRFR2607ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
STMicroelectronicsSTD6NF10T4
N-CHANNEL 100V - 0.22 OHM - 6A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
Descrições
Descrições de onsemi FDD3672 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel MOSFET, UltraFET® Trench, 100V, 44A, 28mΩ
N-Channel 100 V 28 mOhm Surface Mount UltraFET Trench Mosfet TO-252AA
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N, SMD, TO-252; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:44A; Resistance, Rds On:0.024ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; No. of Pins:3; Power Dissipation:135mW; Voltage, Vds Max:100V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating44 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation135 W
Rds On Max28 mΩ
Resistance28 MΩ
Rise Time59 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width5.59 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade