onsemi FDMS3664S
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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VishaySI4168DY-T1-GE3
Si4168DY Series 30 V 24 A 5.7 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - SOIC-8
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de onsemi FDMS3664S fornecidas pelos seus distribuidores.
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage MOSFET 30V
Dual N-Channel 30 V 11/4.5 mOhm 13/24 nC 2.2/2.5 W PowerTrench Mosfet POWER 56-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight171 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.765 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1 W
Rds On Max8 mΩ
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.9 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade