onsemi FDMS3660AS
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Obsolete
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FDMS3660AS | 15.000 | 6h | |||||||||
| Flip Electronics | FDMS3660AS | 3.000 | 3d | |||||||||
| Avnet | FDMS3660AS | 0 | 1163 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | FDMS3660AS | 397 | 3K | Tray | 5h | |||||||
| Win Source | WS-FDMS3660AS | 5.503 | 65 | 7h |
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Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de onsemi FDMS3660AS fornecidas pelos seus distribuidores.
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage MOSFET 30V
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Dual N-Channel 30 V 11/2.2 mOhm 30/90 nC 2.2/2.5 W Mosfet - POWER 56-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
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This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight171 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.23 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.9 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade