onsemi FDMS3660S
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-01-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIRFH7914TRPBF
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN-5 x 6 mm
Descrições
Descrições de onsemi FDMS3660S fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 60A/145A 8-Pin Power 56 T/R
Avnet Japan
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage MOSFET 30V
Dual N-Channel 30 V 8 /1.8 mO 21 / 62 nC PowerTrench Asymmetric Mosfet - Power56
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, POWER 56-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight171 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.765 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1 W
Rds On Max8 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade