onsemi FDMC4435BZ
$ 0.492
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDMC4435BZ | 384.227 | 910 | 6d | ||||||||
| Future Electronics | FDMC4435BZ | 36.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | FDMC4435BZ | 63.864 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDMC4435BZ | 2.282 | 4 | |||||||||
| Arrow Electronics | FDMC4435BZ | 2.282 | 1 |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -4.82%
Modelos CAD
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0 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-04-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFHM9391TRPBF
Single P-Channel 30 V 22.5 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Descrições
Descrições de onsemi FDMC4435BZ fornecidas pelos seus distribuidores.
PQFN 3X3,-30V,-20A,20.0m ohm,PCH POWER TRENCH MOSFET
P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -18A, 20mΩ
MOSFET, P CH, -30V, 0.015OHM, -18A, MLP-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This devie is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight200 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.045 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max20 mΩ
Resistance20 MΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.9 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade