Diodes Inc. DMN4800LSS-13
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Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN4800LSS-13 | 2.500 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN4800LSSDICT-ND | 24.956 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN4800LSS-13 | 0 | 1 | 20h | ||||||||
| Avnet | DMN4800LSS-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Future Electronics | DMN4800LSS-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN4800LSS-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30 V 16 mO 9.47 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Mosfet, N-Ch, 30V, 8.6A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4800LSS-13
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Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin SOP T/R
1.46W(Ta) 25V 1.6V@ 250¦ÌA 9.47nC@ 5 V 1N 30V 16m¦¸@ 9A,10V 9A 798pF@10V SOIC-8 4.95mm*3.95mm*1.5mm
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 30V, 8.6A, SOIC;
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance798 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.46 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time4.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26.33 ns
Turn-On Delay Time5.03 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade