onsemi FDA50N50
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Price @ 1000
$ 7.007
Stock
131,412
267,195
Authorized Distributors
1
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
48 A
45 A
Threshold Voltage
5 V
4 V
Rds On Max
105 mΩ
100 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
30 V
Power Dissipation
625 W
390 W
Input Capacitance
6.46 nF
3.7 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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N-channel 650 V, 0.067 Ohm, 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
Descrições
Descrições de onsemi FDA50N50 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500V, 48A, 105mΩ, TO-3P
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
MOSFET, N-CH, 500V, 48A, TO-3PN-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 48A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.089ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Po
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Current Rating48 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time230 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.46 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation625 W
Rds On Max105 mΩ
Rise Time360 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time225 ns
Turn-On Delay Time105 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height23.8 mm
Length15.6 mm
Width4.8 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade