Vishay IRFPS37N50APBF
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Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Peças relacionadas
VishaySIHS36N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 36A, SUPER-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
Descrições
Descrições de Vishay IRFPS37N50APBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 36A Tc 36A 446W 80ns
Single N-Channel 500 V 0.13 Ohms Through Hole Power Mosfet - SUPER-247
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 500V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N Channel Mosfet, 500V, 36A, Super-247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:36A; On Resistance Rds(On):0.13Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance5.579 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation446 W
Rds On Max130 mΩ
Resistance130 mΩ
Rise Time98 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height20.8 mm
Length16.1 mm
Width5.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade