onsemi FCPF400N80Z

Name: onsemi FCPF400N80Z
Brand: onsemi
SKU: FCPF400N80Z

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 14 A, 400 mΩ, TO-220F

$ 1.85

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Rochester Electronics	2	FCPF400N80Z	201.790					1,860	1,670	1,570	15h
DigiKey		FCPF400N80Z-ND	1.030	1	Tube	5,070	5,070	2,404	1,867	1,867
Verical	4	FCPF400N80Z	142.000	162					2,088	1,963
Flip Electronics		FCPF400N80Z	555.995								2d

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Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2013-11-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Descrições

Descrições de onsemi FCPF400N80Z fornecidas pelos seus distribuidores.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 14 A, 400 mΩ, TO-220F

onsemi

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220F, Through Hole

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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N-CH, 800V, 11A, TO-220F; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Po

Farnell

SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailoredto minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently,SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Fairchild Semiconductor

Imagens

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight2.27 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)11 A

Drain to Source Breakdown Voltage800 V

Drain to Source Resistance400 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)800 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time15 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.35 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation35.7 W

Min Breakdown Voltage800 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation35.7 W

Rds On Max400 mΩ

Rise Time34 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4.5 V

Turn-Off Delay Time51 ns

Turn-On Delay Time20 ns

Dimensions

Height19.5 mm

Length10.36 mm

Width4.9 mm

Fichas técnicas e documentos

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onsemi

Future Electronics

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Rohs Statement3 páginas12 anos atrás

Materials Sheet3 páginas12 anos atrás

Reach Statement3 páginas11 anos atrás

Materials Sheet3 páginas11 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs Statement1 páginas13 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A