onsemi BD681STU
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EOL
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BD681STU | 720.852 | 3h | |||||||||
| Flip Electronics | BD681STU | 38.400 | 2d | |||||||||
| Avnet | BD681STU | 0 | 3572 | 2d | ||||||||
| Farnell | BD681STU.. | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| Microchip USA | BD681STU | 1.681 | 3500 | Bulk | 3d |
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Stock
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669,970
669,970
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-126
TO-225
TO-225
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
10 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
40 W
40 W
40 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiKSC3953DSTU
Tube Through Hole NPN KSC3953 Bipolar (BJT) Transistor 60 @ 10mA 10V 200mA 1.3W 400MHz
Descrições
Descrições de onsemi BD681STU fornecidas pelos seus distribuidores.
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
BD681 Series 100 V 4 A 40 W NPN Medium Power Linear and Switching - TO-126
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2.5V@ 30mA,1.5A NPN - Darlington 40W 5V 500¦ÌA 100V 100V 4A TO-126-3 8mm*3.25mm*11mm
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-225AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 40W; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 750hFE; Transi
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current4 A
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation40 W
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade