onsemi BD679AS
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126
SOT-32
SOT-32
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
10 MHz
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V
2.8 V
2.8 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
40 W
40 W
40 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi BD679AS fornecidas pelos seus distribuidores.
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
NPN 40 W 80 V 4 A Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2.8V@ 40mA,2A NPN - Darlington 40W 5V 500¦ÌA 80V 80V 4A TO-126-3 8mm*3.25mm*11mm
NPN Epitaxial Silicon Transistor Product Highlights: Medium Power Darlington TR Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectively
Transistor Polarity:npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Dc Collector Current:4A; Power Dissipation Pd:40W; Transistor Mounting:through Hole; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency Ft:-; Dc Current Gain Hfe:750Hfe; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight760.986249 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current4 A
Current2 A
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation40 W
Transition Frequency10 MHz
Voltage80 V
Voltage Rating (DC)80 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade