onsemi BC63916-D74Z
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6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
25
25
Power Dissipation
830 mW
830 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2005-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiKSD1616AYTA
TRANS NPN 60V 1A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 160MHz 750 mW Through Hole TO-92-3
Descrições
Descrições de onsemi BC63916-D74Z fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor General Purpose BJT NPN 80 Volt 1 Amp 3-Pin TO-92 Ammo
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bjt (Bipolar Junction Transistor) Rohs Compliant: Yes
80V 830mW 1A 100@150mA2V 100MHz 500mV@500mA50mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight55 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation830 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade