onsemi BC637G
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Stock
293,069
1,818,785
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Authorized Distributors
1
3
3
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
1 A
500 mA
500 mA
Transition Frequency
200 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
40
25
25
Power Dissipation
625 mW
1.5 W
1.5 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2014-12-31
LTD Date2015-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi BC637G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 150mA 2V 100nA ICBO 625mW 200MHz
NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
Trans GP BJT NPN 60V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Box
High Current NPN Bipolar Transistor
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min40
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade