onsemi BC637
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293,069
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Authorized Distributors
3
1
1
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-92
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
500 mA
1 A
1 A
Transition Frequency
50 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
25
40
40
Power Dissipation
1.5 W
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1982-11-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-12-13
LTD Date2012-06-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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onsemiKSD1616ALBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
onsemiKSD1616LBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Descrições
Descrições de onsemi BC637 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC637 Series 60 V 1 A Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-92 Bulk
High Current NPN Bipolar Transistor
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Package/Case:TO-92; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Current Rating:1A; Voltage Rating:60V ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case Style:
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
TerminationThrough Hole
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade