onsemi 2SD1815T-TL-E
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6
3
Mount
-
-
Case/Package
TO-251
TO-251-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
180 MHz
180 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
150 mV
hFE Min
200
200
Power Dissipation
-
1 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar Transistor, 50V, 3A, Low VCE(sat) NPN Single TP/TP-FA hFE = 200-400
Diodes Inc.APT13003DI-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Descrições
Descrições de onsemi 2SD1815T-TL-E fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 200 - 400
ON SEMI 2SD1815T-TL-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 3 A, 100 V, 3-PIN TP-FA
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-251; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Typ Gain Bandwidth ft:180MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:400; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min200
Max Collector Current3 A
Max Frequency180 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height5.5 mm
Length6.5 mm
Width2.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade