onsemi 2SD1802S-TL-E
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemi2SD1802T-TL-E
Bipolar Transistor, 50V, 3A, Low VCE(sat) NPN Single TP/TP-FA hFE = 200-400
onsemi2SD1815T-TL-E
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 200 - 400
Diodes Inc.APT13003DI-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Descrições
Descrições de onsemi 2SD1802S-TL-E fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistor, 50V, 3A, Low VCE(sat) NPN Single TP/TP-FA hFE = 140-280
ON SEMI 2SD1802S-TL-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 3 A, 50 V, 3-PIN TP-FA
Bipolar Transistor, NPN, 5.0 A, 50 V, h FE = 140-280
1Ã×A 50V 1W 3A 150MHz 190mV@2A100mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-252-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, TO-251; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:280; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage190 µV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min140
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade