onsemi 2SB1123T-TD-E
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Descrições
Descrições de onsemi 2SB1123T-TD-E fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE = 200-400
Bipolar Transistors (BJT); 2SB1123T-TD-E; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 50 V; 2 A
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TRANSISTOR, PNP, 50V, 2A, SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.3W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:400; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade