Diodes Inc. 2DA1213O-13
$ 0.166
Obsolete
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Fichas técnicas e documentos
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Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Diodes Inc. 2DA1213O-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
2DA12 Series PNP 1 W 50 V 2 A Surface Mount Power Transistor - SOT-89
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Bipolar Transistors - BJT 1W -50V
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89-3
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight130.492855 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency160 MHz
Gain Bandwidth Product160 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency160 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade