onsemi 2N6426
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Peças alternativas
Esta peça
Peças alternativas
Price @ 1000
$ 0.154
Stock
810,280
59,229
Authorized Distributors
1
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-92
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.2 V
hFE Min
20000
20000
Power Dissipation
1.5 W
625 mW
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2012-02-23
LTD Date2012-08-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi 2N6426 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Darlington 40V 500mA TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
NPN Bipolar Darlington Transistor
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min20000
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi 2N6426.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade