onsemi PN2222ABU
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6
6
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Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiKSP2222ATA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descrições
Descrições de onsemi PN2222ABU fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 1 Amp 3-Pin TO-92 Bulk
PN2222 Series NPN 625 mW 40 V 1A Through Hole General Purpose Transistor-TO-92-3
AMPLIFIER, NPN GP, BJT, 40V, 1A, TO92, 3-PIN, 500MA, -55 TO 150C, PN2222A
On Semi PN2222ABU TO92 NPN Transistor
40V 625mW 1A 100@150mA10V 300MHz 1V@500mA50mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
NPN General Purpose Amplifier This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA.Sourced from Process 19.
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, TO-226AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 35hFE; Tr
Transistor, Npn, 40V, 0.6A, To-226Aa; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:625Mw; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi PN2222ABU.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min40
Max Collector Current1 A
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Manufacturer Package IdentifierMKT-ZA03DREV3
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Turn-Off Delay Time250 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade