onsemi 2N5210TFR
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1
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
250
250
250
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2019-04-18
LTD Date2019-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi 2N5210TFR fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4.5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min250
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation620 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade