onsemi 2N5210TF
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Obsolete
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Tendência de 3 meses: Restocked
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi 2N5210TF.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-09-14
LTD Date2012-03-14
Peças relacionadas
onsemiFJN3304RBU
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Descrições
Descrições de onsemi 2N5210TF fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 30MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Tape & Reel (TR) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100muA 5V 50nA ICBO 625mW 30MHz
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4.5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min250
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation620 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade