Nexperia BC856B,215
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6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
250 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1993-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Descrições
Descrições de Nexperia BC856B,215 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Single Bipolar Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23 (TO-236AB), 3 Pins, Surface Mount
Bipolar junction transistor, PNP, -100 mA, -65 ## Fehler ##, SMD, SOT-23, BC856B,215
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100 mA 65 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
TRANSISTOR, PNP, -65V,SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:220; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Voltage65 V
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade