onsemi BC856BMTF
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BC856BMTF | 438 | 38m | |||||||||
| Farnell | BC856BMTF | 0 | 5 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-BC856BMTF | 161.000 | 575 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | BC856BMTF | 19.935 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| ZTZ Technology Limited | BC856BMTF | 68.668 | 2d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Stock
417,340
133,080
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
150 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
-
hFE Min
200
220
Power Dissipation
310 mW
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-04-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi BC856BMTF fornecidas pelos seus distribuidores.
BC856 Series 65 V CE Breakdown .1 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R
Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 310mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 110hFE; Transistor Case Sty
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:65V; Continuous Collector Current, Ic:0.1A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):0.25V; Power Dissipation, Pd:310mW
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency150 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation310 mW
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade