Nexperia BC856,215
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6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
-650 mV
-650 mV
hFE Min
125
220
220
Power Dissipation
250 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Transistor General Purpose BJT PNP 80 Volt 0.5 Amp 3-Pin SOT-23 Tape and Reel
Descrições
Descrições de Nexperia BC856,215 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar junction transistor, PNP, -100 mA, -65 ## Fehler ##, SMD, SOT-23, BC856,215
BC856 Series 65 V 100 mA 250 mW SMT PNP General Purpose Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
100 Ma 65 V PNP Si Small Signal Transistor TO-236AB
General Purpose Transistors 80V 100mA PNP SOT23 125~475
Bipolar Transistor, Pnp, -65V, -100Ma, 3-Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:65V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:250Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: Yes |Nexperia BC856,215.
TRANSISTOR, PNP, -65V, SOT-23, REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:125; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min125
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade