Nexperia BC817,235
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Authorized Distributors
5
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
250 mW
250 mW
250 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Single Bipolar Transistor, NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de Nexperia BC817,235 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23), Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
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BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
500 mA 45 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage45 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade