Toshiba 2SC2712-Y,LF
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Ficha técnica oficial8 anos atrás
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2014-03-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Toshiba2SC2712-O(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Single Bipolar Transistor, NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, 3 Pins, Surface Mount
NXP Semiconductors2PD601AR,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
ToshibaRN1409(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
ROHMDTC144GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Toshiba 2SC2712-Y,LF fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
250mV@ 10mA,100mA NPN 150mW 5V 100nA 60V 50V 150mA 2.9mm*1.5mm*1.15mm
X34 Pb-F S-Mini Pln (Lf) Transistor Pd=150Mw F=80Mhz
Nomes alternativos do fabricante
Toshiba possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Toshiba também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -3.58%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current150 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product80 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Operating Temperature125 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency80 MHz
Fichas técnicas e documentos
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