Infineon SPP20N60C3XKSA1
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-30
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-07-30
LTD Date2009-12-30
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Descrições
Descrições de Infineon SPP20N60C3XKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
208KW 20V 3.9V 87nC@ 10V 1N 600V 190m¦¸@ 10V 20.7A 2.4nF@ 25V TO-220 10mm*440cm*9.25mm
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
COOL MOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, COOLMOS, 650V, 20.7V, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20.7A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight45.359237 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20.7 A
Current Rating20.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Dual Supply Voltage650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity500
PackagingBulk
Power Dissipation156 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time67 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Dimensions
Height9.25 mm
Length10 mm
Width4.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade