onsemi FCPF190N60E
$ 1.963
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FCPF190N60E | 1.442 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | FCPF190N60E | 122 | 19h | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FCPF190N60E | 0 | 250 | Bulk | ||||||||
| Avnet | FCPF190N60E | 0 | 1K | 22h | ||||||||
| Future Electronics | FCPF190N60E | 0 | 1K | Tube |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FCPF190N60E fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:39W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.175 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation39 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time38 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time101 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade