Infineon SPP11N80C3XKSA1
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1,297,841
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6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
800 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
450 mΩ
450 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
156 W
156 W
Input Capacitance
1.6 nF
1.6 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-11-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
Descrições
Descrições de Infineon SPP11N80C3XKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220, Through Hole
COOL MOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, COOLMOS, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.45ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Diss
800V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting; Solar
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Dual Supply Voltage800 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance450 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation156 W
Rds On Max450 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade