Infineon IRLS3036TRLPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRLS3036TRLPBF | 1.804 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRLS3036TRLPBF | 901 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRLS3036TRLPBF | 19.200 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | IRLS3036TRLPBFCT-ND | 6.666 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLS3036TRLPBF | 0 | 2 | Bulk | 21h |
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53,681
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Authorized Distributors
6
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
195 A
Threshold Voltage
2.5 V
1 V
1 V
Rds On Max
2.4 mΩ
2.4 mΩ
2.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
380 W
380 W
380 W
Input Capacitance
11.21 nF
11.21 nF
11.21 nF
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Descrições
Descrições de Infineon IRLS3036TRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 270 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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MOSFET, 60V, 270A, 2.4 MOHM, 91 NC QG, LOGIC LEVEL, D2-PAK | Infineon IRLS3036TRLPBF
Benefits: RoHS Compliant; Logic Level | Target Applications: Battery Operated Drive
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance11.21 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation380 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation380 W
Rds On Max2.4 mΩ
Resistance1.9 MΩ
Rise Time220 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time66 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.652 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade