Infineon IRLR8729TRPBF
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLR8729TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 3h | |||||||
| Farnell | IRLR8729TRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 12h | |||||||
| Component Stockers USA | IRLR8729TRPBF | 10 | >1wk | |||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRLR8729TRPBF | 5.500 | 1 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Win Source | WS-IRLR8729TRPBF | 133.014 | 90 | 12h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Peças alternativas
Esta peça
Peças alternativas
Price @ 1000
$ 0.23
Stock
904,974
518,546
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
8.9 mΩ
8.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
55 W
55 W
Input Capacitance
1.35 nF
1.35 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Peças relacionadas
InfineonIRLR8729PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
Descrições
Descrições de Infineon IRLR8729TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: Very Low RDS(on) at 4.5V VGS; Ultra-Low Gate Impedance; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Lead-Free; RoHS compliant
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 58A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:58A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.9 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation55 W
Rds On Max8.9 mΩ
Rise Time47 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade