Infineon IRFR3707ZTRPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
onsemiNTD50N03RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 6.8ns
Descrições
Descrições de Infineon IRFR3707ZTRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 9.5 mOhm 9.6 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
N CHANNEL MOSFET, 30V, 56A, D-PAK; Trans; N CHANNEL MOSFET, 30V, 56A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +15.66%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Current Rating56 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9.5 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation50 W
Rds On Max9.5 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade