Infineon IRLML6402GTRPBF
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLML6402GTRPBF | 0 | 6K | Bulk | 1h | |||||||
| Farnell | IRLML6402GTRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 12h | |||||||
| Component Stockers USA | IRLML6402GTRPBF | 18.417 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-IRLML6402GTRPBF | 213.530 | 380 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRLML6402GTRPBF | 13.624 | 7 | Tape & Reel | 1d |
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IRLML6402GTRPBF direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Peças alternativas
Esta peça
Peças alternativas
Price @ 1000
$ 0.128
Stock
421,955
19,603,914
Authorized Distributors
2
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
3.7 A
3.7 A
Threshold Voltage
-
-550 mV
Rds On Max
65 mΩ
65 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.3 W
1.3 W
Input Capacitance
633 pF
633 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon IRLML6402GTRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 20 V 1.3 W 8.0 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23
-20V Single P-Channel Lead Free HEXFET Power MOSFET in a Halogen Free Micro3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-550mV ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time381 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance633 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Manufacturer Package IdentifierIRLML6402GTRPBF
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance65 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max65 mΩ
Resistance65 MΩ
Rise Time48 ns
Turn-Off Delay Time588 ns
Turn-On Delay Time350 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.0226 mm
Width1.397 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade