onsemi CPH3456-TL-W
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRLML6402TRPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; 0.065ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML6402GTRPBF
Single P-Channel 20 V 1.3 W 8.0 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23
Diodes Inc.DMG2305UXQ-7
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Descrições
Descrições de onsemi CPH3456-TL-W fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET 20V, 3.5A, 71mΩ
CPH3456 Series 20 V 71 mOhm 3.5 A SMT N-Channel Power Mosfet - CPH-3
Trans MOSFET N-CH Si 20V 3.5A 3-Pin CPH T/R
Mosfet, N-Ch, 20V, 3.5A, Sot-23 |Onsemi CPH3456-TL-W
1W(Ta) 12V 1.3V@1mA 2.8nC@ 4.5 V 1N 20V 71m¦¸@ 1.5A,4.5V 3.5A 260pF@10V CPH-3 2.9mm*1.6mm*900¦Ìm
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 20
MOSFET, N-CH, 20V, 3.5A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.3V; P
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance71 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance260 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1 W
Rds On Max71 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time6.2 ns
Dimensions
Height1.05 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade