Infineon IRLML6302TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -20V; Rds(on) 0.6 Ohm; Id -0.78A; MICRO3; Pd 540MW; Vgs +/-12V
$ 0.334
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRLML6302TRPBF301
Future ElectronicsIRLML6302TRPBF03KTape & Reel
RS (Formerly Allied Electronics)IRLML6302TRPBF06KBulk
10h
Farnell
4
IRLML6302TRPBF01Custom Reel
8h
Microchip USAIRLML6302TRPBF2423500
4d

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Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

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Peças alternativas
InfineonIRLML6302TRPBF
InfineonIRLML6302GTRPBF
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$ 0.334
$ 0.099
Stock
13,524,030
241,403
Authorized Distributors
4
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
TO-236-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
540 mA
780 mA
Threshold Voltage
-1.5 V
-
Rds On Max
600 mΩ
600 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
540 mW
540 mW
Input Capacitance
97 pF
97 pF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-07-31
LTD Date2025-01-31

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Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IRLML6302TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.6Ohm;ID -0.78A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-12V
RS (Formerly Allied Electronics)
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 780 mA, 600 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Avnet
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.78A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, P, MICRO3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-610mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.5V; Power Dissipation Pd:540mW; Transistor Case Style:µSOIC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-780mA; Package / Case:Micro3; Power Dissipation Pd:540mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-1.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
element14 APAC
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = -780 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 600 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 22 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) mW = 540
Distrelec

Imagens

RS
Farnell
RS
Burklin Elektronik
element14 APAC
element14 APAC
TME
Conrad
Smith & Associates
element14
South Microelectronics
DKO Electronshik
iiiC
Future Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IRFIRLML6302TRPBF
  • IRLML6302
  • IRLML6302*
  • IRLML6302TRPBF.
  • SP001574060