Infineon IRLML5103GTRPBF
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Stock
177,872
18,650,067
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
760 mA
540 mA
Threshold Voltage
-
-1 V
Rds On Max
600 mΩ
600 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
540 mW
340 mW
Input Capacitance
75 pF
75 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRLML2803TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID 1.2A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-20V
InfineonIRLML2803GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 1.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
InfineonIRLML0030TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Descrições
Descrições de Infineon IRLML5103GTRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
-30V Single P-Channel Lead Free HEXFET Power MOSFET in a Halogen Free Micro3 package
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, P-CH, -30V, -0.76A, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -760mA; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)760 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance75 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation540 mW
Manufacturer Package IdentifierMicro3
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance600 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation540 mW
Rds On Max600 mΩ
Rise Time8.2 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.0226 mm
Width1.397 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade