Infineon IRLH5030TRPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRLH5030TRPBF | 2.195 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRLH5030TRPBF | 3.970 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRLH5030TRPBF | 48.000 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | IRLH5030TRPBF | 39.183 | 16h | |||||||||
| DigiKey | IRLH5030TRPBFCT-ND | 6.567 | 1 | Cut Tape |
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3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
13 A
13 A
Threshold Voltage
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
3.6 W
-
Input Capacitance
5.185 nF
5.185 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
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Descrições
Descrições de Infineon IRLH5030TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
INFINEON IRLH5030TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.5 V
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 88 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 9.9 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 41 / Rise Time ns = 72 / Turn-OFF Delay Time ns = 41 / Turn-ON Delay Time ns = 21 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TQFN / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 3.6
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance5.185 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9.9 MΩ
Rise Time72 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height990.6 µm
Length6.1468 mm
Width5.15 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade