Infineon IRFH5007TRPBF
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3
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
QFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
17 A
17 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
5.9 mΩ
5.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.6 W
-
Input Capacitance
4.29 nF
4.29 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-03-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-05-15
LTD Date2023-11-15
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75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon IRFH5007TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 75 V 5.9 mOhm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance5.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max5.9 mΩ
Resistance5.9 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length6.1468 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade