Infineon IRFS7762TRLPBF
$ 1.83
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFS7762TRLPBF | 760 | 35m | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFS7762TRLPBF | 0 | 5 | Bulk | 17h | |||||||
| Farnell | IRFS7762TRLPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Win Source | WS-IRFS7762TRLPBF | 20.000 | 30 | 1h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFS7762TRLPBF | 13.428 | 7 | Tape & Reel | 1d |
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Stock
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38,779
Authorized Distributors
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
85 A
85 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6.7 mΩ
6.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
4.44 nF
4.44 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-11-30
LTD Date2022-05-31
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Descrições
Descrições de Infineon IRFS7762TRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK / N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
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MOSFET, N-CH, 75V, 85A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 85A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V; P
Benefits: Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free, RoHS Compliant; StrongIRFET
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance6.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.7 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation140 W
Rds On Max6.7 mΩ
Rise Time49 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time57 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade