Infineon IRFS7540PBF
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2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
110 A
110 A
Threshold Voltage
-
3.7 V
Rds On Max
5.1 mΩ
5.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
160 W
160 W
Input Capacitance
4.555 nF
4.555 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
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N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
Descrições
Descrições de Infineon IRFS7540PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 5.1 mOhm 88 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.555 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.1 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation160 W
Rds On Max5.1 mΩ
Rise Time76 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade