Infineon IRFS41N15DTRLP
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | IRFS41N15DTRLP | 0 | 1 | Cut Tape | 23h | |||||||
| Win Source | WS-738805 | 1.650 | 35 | 1d | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFS41N15DTRLP | 16.001 | 7 | Tape & Reel | 23h | |||||||
| Fly-Wing Technology | IRFS41N15DTRLP | 66.470 | 21h | |||||||||
| Anlinkda | IRFS41N15DTRLP | 50.998 | 7h |
Fichas técnicas e documentos
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Esta peça
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Price @ 1000
$ 0.946
Stock
165,924
161,976
Authorized Distributors
1
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
41 A
41 A
Threshold Voltage
-
5.5 V
Rds On Max
45 mΩ
45 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
3.1 W
200 W
Input Capacitance
2.52 nF
2.52 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-11-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Peças relacionadas
InfineonIRFS33N15DTRLP
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A) | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Descrições
Descrições de Infineon IRFS41N15DTRLP fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 150 V 0.045 Ohm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-263 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 200 W
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:41A; On Resistance Rds(On):0.045Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5.5V Rohs Compliant: Yes
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)41 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.52 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance45 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 MΩ
Rise Time63 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade