onsemi FDB2552
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Production
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Tendência de 3 meses: -46.20%
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDB2552 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36mΩ
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 37 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Surface Mount
150 V, 37 A, 36 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, SMD, TO-263AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:16A; Resistance, Rds On:0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-263AB; Termination Type:SMD
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -46.20%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current5 A
Current Rating37 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max36 mΩ
Resistance36 MΩ
Rise Time29 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage150 V
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade