Infineon IRFS4127TRLPBF
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Stock
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290,405
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-262
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
72 A
72 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
22 mΩ
22 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
5.38 nF
5.38 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de Infineon IRFS4127TRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 200 V 22 mOhm 100 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, 200V, 76A, 23.2 MOHM, 100 NC QG, D2-PAK | Infineon IRFS4127TRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 200V, 72A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:72A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.0186ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; P
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)72 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.38 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance22 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation375 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 MΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.652 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade