STMicroelectronics STB75NF20
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB75NF20 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 200 V, 0.028 Ohm typ., 75 A STripFET(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STB75NF20 N-channel MOSFET Transistor, 75 A, 200 V, 3-Pin D2PAK
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Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -15.28%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance34 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.26 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation190 W
Rds On Max34 mΩ
Resistance34 mΩ
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant