Infineon IRFS3307ZPBF
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2
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
120 A
Threshold Voltage
4 V
-
-
Rds On Max
5.8 mΩ
5.8 mΩ
5.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
230 W
230 W
Input Capacitance
4.75 nF
4.75 nF
4.75 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
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N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
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N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descrições
Descrições de Infineon IRFS3307ZPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
IRFS3307ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 75 V, 3-Pin DPAK
Single N-Channel 75 V 5.8 mOhm 79nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Leaded Process Compatible:Yes; P; MOSFET; Leaded Process Compatible:Yes; Package / Case:D2-PAK; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes
MOSFET, N, 75V, D2-PAK; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:120A; Resistance, Rds On:0.0046ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Base Number:3307; Current, Idm Pulse:480A; No. of Pins:3; Power Dissipation:230mW; Voltage, Vds Max:75V; Voltage, Vgs th Max:4V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.8 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max5.8 mΩ
Recovery Time50 ns
Resistance5.8 MΩ
Rise Time64 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade