Infineon IRFR2307ZTRLPBF
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Mount
Surface Mount
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Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
16 mΩ
16 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
2.19 nF
2.19 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-20
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Descrições
Descrições de Infineon IRFR2307ZTRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 0.0128 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC
MOSFET, N-CH, 75V, 42A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0128ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 110W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.19 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance16 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation110 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time65 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade