Infineon IRFP2907PBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Peças relacionadas
InfineonAUIRFP2907
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Package, TO247-3, RoHS
InfineonIRFP2907ZPBF
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 310 W
Descrições
Descrições de Infineon IRFP2907PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 209A;TO-247AC;PD 470W;-55de
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IRFP2907PBF,MOSFET, 75V, 177A, 4.5 MOHM, 410 NC QG, TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
N CH MOSFET, 75V, 209A, TO-247AC; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:209A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:470W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Current Id Max:209A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:470W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:840A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Current Rating209 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time130 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation470 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation330 W
Rds On Max4.5 mΩ
Recovery Time210 ns
Resistance4.5 MΩ
Rise Time190 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade