Vishay IRFP064PBF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFP2907ZPBF
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 310 W
Descrições
Descrições de Vishay IRFP064PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 0.009 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247
N CHANNEL MOSFET, 60V, 70A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 70A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs Typ: 4V
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -14.77%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Current80 A
Current Rating70 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time190 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation300 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 mΩ
Rise Time190 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Voltage60 V
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height25.11 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade