Vishay IRFP048RPBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFP048NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.016Ohm;ID 64A;TO-247AC;PD 140W;VGS +/-20V
InfineonIRFP054NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.012Ohm;ID 81A;TO-247AC;PD 170W;VGS +/-20V
InfineonIRFP044NPBF
MOSFET, Power; N-Channel; 0.020 Ohms (Max.) @ 10 V, 29 A; 55 V (Min.); 40 degC/
Descrições
Descrições de Vishay IRFP048RPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
190W(Tc) 20V 4V@ 250µA 110nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 18mΩ@ 44A,10V 70A 2.4nF@25V TO-247AC Through hole mounting 15.87mm*5.31mm*20.82mm
MOSFET, N, 60V, 70A, TO-247AC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 70A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power D
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)57 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time250 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation190 W
Rds On Max18 mΩ
Rise Time250 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time210 ns
Turn-On Delay Time8.1 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade